美光3DNAND创新低成本制程分析|老版南方双彩2024

美光公司日前开始量产其32层（32L）3DNAND快闪记忆体，包括该元件的首批商用下游产品之一是Crucial750GBSATA2.5寸固态硬碟（SSD）。如图1右图，这款产品的倒数加载/载入速度分别低约每秒530MB与每秒510MB；其功耗较一般硬碟驱动器（HDD）提高了90倍，据信也更为轻巧。

　　CrucialSSD的售价为200美元，这使其沦为笔记型电脑应用于最不具吸引力的选项，而且我们找到有更加多的电脑设备开始利用SSD代替传统HDD。HDD或许将渐渐被市场所出局，不过必需否认的是各家涉及厂商仍致力于使其创意，而且HDD的成本仍较SSD更加便宜。因此，我们预计在短期之内，HDD仍将在市场上占有主导地位。　　　　图1：美光CrucialCT750MX300SSD1750GBSSD　　图2右图为Crucial750GBSSD的正面与背面电路板报废图，可以看见其中包括8个美光NAND快闪记忆体PCB。

这一数量相等于TechInsights在三星（Samsung）T32TBSSD中找到4个48层（48L）3DNANDPCB数量的两倍。因此，从PCB数的角度来看，三星在每PCB中的记忆体容量依然占有优势。

但从晶片层来看否某种程度领先于美光？　　　　图2：使用美光3DNAND的CrucialSSD产品正面与背面电路板图　　三星方面早已需要在每个NANDPCB中加到16块晶片了，如图3右图。这意味著每块面积为99.8平方毫米的晶片可获取32GB储存容量，或者折算为每平方毫米大约320MB。

　　Crucial750GBSSD中包括8块美光的PCB，其中单一PCB可容纳2块晶片，面积为165平方毫米。这意味著该记忆体的储存密度为284MB/mm2，高于三星的320MB/mm2。

不过三星的仅次于优势在于其48层结构以及20奈米（nm）半位元线间距，相形之下，美光的40nm半位元线间距更加牢固。　　或许我们应当用三星在此之前发售的32层（32L）V-NAND展开较为，该系列产品公布于2014年，某种程度使用20nm半位元线间距生产。

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